[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[11p-Z12-16] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（17）窒素の各種状態、STDと複ピーク

〇井上 直久¹、川又 修一¹、奥田 修一¹ (1.大阪府立大学)

キーワード：シリコン結晶, 窒素点欠陥複合体, 赤外吸収

シリコン結晶の窒素の状態を局在振動LVMの赤外吸収で明らかにした:置換型窒素、 NNO_n(n=0-2)、Shallow thermal donor (STD)、VNN,VVNNの照射熱処理生成、N_i, VN_sのgrown-inの存在。STD構造として(ONO)O_n (n=0-2)を加え7種提案し、NO,(NO)O吸収として714,737cm^-1などを提案し、N_iの(551,552)cm^-1など複ピークを示す。