[11p-Z12-1~17] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [11p-Z12-3] Detection Limit of Carbon in Si Photoluminescence after Electron Irradiation

〇Yuta Satake¹, Michio Tajima², Shota Asahara¹, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.Meiji Renewable Energy Laboratory)

Keywords:photoluminescence, detection limit, carbon in Si

IGBT等のSiパワーデバイスの高性能化に伴ってSiウェーハの高品質化の妨げとなる微量残留炭素不純物の高感度・高精度の定量評価が要求されている．中でも発光活性化PL法が注目され，標準化が図られている．また，同手法の検出下限は標準化に向けて重要な情報である．そこで，本報告では，PL測定の積算時間・試料温度・励起光強度を変化させ，この手法の炭素濃度の検出下限を検討した．