[11p-Z12-1~17] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [11p-Z12-3] 電子線照射発光活性化PL法におけるSi結晶中炭素の検出下限

〇佐竹 雄太¹、田島 道夫²、朝原 将太¹、小椋 厚志^1,2 (1.明治大理工、2.再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：フォトルミネッセンス, 検出下限, Si結晶中炭素

IGBT等のSiパワーデバイスの高性能化に伴ってSiウェーハの高品質化の妨げとなる微量残留炭素不純物の高感度・高精度の定量評価が要求されている．中でも発光活性化PL法が注目され，標準化が図られている．また，同手法の検出下限は標準化に向けて重要な情報である．そこで，本報告では，PL測定の積算時間・試料温度・励起光強度を変化させ，この手法の炭素濃度の検出下限を検討した．