[11p-Z13-1~18] 12.1 作製・構造制御

△ [11p-Z13-3] バーコート法により作製したtert-ブチル置換フタロシアニン薄膜における電気特性 II

〇鶉野 弦也¹、籔内 湧太¹、石裏 遼¹、米谷 慎²、永野 修作^3,4、梶井 博武¹、藤井 彰彦¹、尾﨑 雅則¹ (1.阪大院工、2.産総研、3.立教大、4.名大院工)

キーワード：有機半導体, 溶液プロセス, 一軸配向薄膜

可溶性を有しながら熱に対して安定であるtert-ブチル基を導入したフタロシアニンをバーコート法により作製し，薄膜の分子配向，電気特性について検討した．作製した薄膜はポリイミド被覆したSi基板上で一軸配向した．この薄膜を活性層に用いたTFTでは，正孔移動度は最大で1.32×10^-4 cm² V^-1 s^-1となり，移動度には異方性が確認された．また，得られた移動度に関して，接触抵抗を考慮して議論した．