[11p-Z23-1~20] 16.3 シリコン系太陽電池

[11p-Z23-10] PIDを発現した多結晶Siモジュールに対する高速回復手法の検討

〇傍島 靖¹、橋本 紳吾¹、清水 健吾¹、Go Sian Hi¹、野々村 修一¹ (1.岐阜大工)

キーワード：多結晶シリコン太陽電池, 電圧誘起劣化, PID 回復

電力源として重要な長期間運用において、高電圧印加により出力が低下する電圧誘起劣化(PID)現象は憂慮すべき問題である。本発表では、PIDが生じた多結晶Si太陽電池モジュール内のp-n接合間にパルス形状の逆方向バイアスを印加する事で光電変換性能の回復を図り、パルス波形に対する回復量の傾向について研究を実施し、印加間隔の調整により、モジュール内温度を制御し効率的な回復を実現した。