[11p-Z23-1~20] 16.3 シリコン系太陽電池

[11p-Z23-19] Cat-CVDで形成した積層非晶質Si膜での結晶Si 表面のパッシベーション

〇寺門 裕樹¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：Siヘテロ接合太陽電池, Cat-CVD, パッシベーション

Cat-CVDでのi-a-Siパッシベーション膜形成に関し、エピタキシャル成長抑制を目的に、低温で薄いi-a-Si膜を堆積した後、高温で高品質なi-a-Siを堆積する手法を検討した。1層目を堆積した試料では、~2 msの高いτ_effを示した。この結果、低温で1層目を堆積することにより、epi成長が抑制され、高いパッシベーション性能が得られることを確認した。