[11p-Z23-1~20] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[11p-Z23-20] Formation of the rear-side structure of TOPCon solar cells by Cat-CVD

〇Yuli Wen¹, Thi Cam Tu Huynh¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Cat-CVD, Cat-CVD ultra-thin nitride silicon, TOPCon solar cells

TOPCon太陽電池の裏面構造への利用を目的に、極薄Cat-CVD SiN_x膜/n型Si膜のパッシベーション性能とトンネル導電性を評価した。非晶質Si (a-Si)膜を用いた試料のパッシベーション性能は、高温アニールにより悪化した。一方、微結晶Si (µc-Si)膜を用いた試料のパッシベーション性能はアニールにより改善し、十分なトンネル導電性との両立が可能であることを示した。