[11p-Z23-1~20] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[11p-Z23-19] Passivation of crystalline Si surfaces by stacked amorphous Si films formed by Cat-CVD

〇Yuki Terakado¹, Thi Cam Tu Huynh¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Silicon heterojunction solar cell, Cat-CVD, passivation

Cat-CVDでのi-a-Siパッシベーション膜形成に関し、エピタキシャル成長抑制を目的に、低温で薄いi-a-Si膜を堆積した後、高温で高品質なi-a-Siを堆積する手法を検討した。1層目を堆積した試料では、~2 msの高いτ_effを示した。この結果、低温で1層目を堆積することにより、epi成長が抑制され、高いパッシベーション性能が得られることを確認した。