[11p-Z23-1~20] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[11p-Z23-4] Statistical analysis on crystallographic orientations in multicrystalline silicon

〇(P)Takuto Kojima¹, Tetsuya Matsumoto¹, Hiroaki Kudo¹, Noritaka Usami² (1.Grad. Info. Nagoya Univ., 2.Grad. Eng. Nagoya Univ.)

Keywords:multicrystalline silicon, Crystallographic orientation, CSL grain boundary

双晶起因の多結晶組織について ，逐次的な双晶形成による方位関係を示す 回転操作 に対して結晶方位情報を参照することによりその発生関係を 解析する手法の開発を進めている．結晶粒間の方位関係を統計的に解析した結果を報告する．結晶粒間の方位関係をΣ3ⁿ回転操作に帰着し，残差を統計解析した．残差の角度は結晶成長とともに大きくなり，微小な変形が成長とともに増加することを示唆する．粒間の方位関係の統計的解析から，インゴットスケールのマクロ特性が得られる可能性が示された．