[11p-Z29-1~16] 17.3 層状物質

△ [11p-Z29-11] 浮遊ゲート電位（V_FG）のトラジェクトリを用いた2Dメモリデバイスの動作理解

〇佐々木 太郎¹、上野 啓司²、谷口 尚³、渡邊 賢司³、西村 知紀¹、長汐 晃輔¹ (1.東大工、2.埼玉大理、3.物材機構)

キーワード：二次元, メモリ, 不揮発性メモリ