2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[8a-Z02-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2020年9月8日(火) 09:00 〜 11:45 Z02

秋山 亨(三重大)、河村 貴宏(三重大)

11:30 〜 11:45

[8a-Z02-10] N-PSS上スパッタ堆積アニールAlNテンプレートに成長させたAlN厚膜の微細構造解析

山本 望1、濱地 威明1、林 侑介1、藤平 哲也1、三宅 秀人2,3、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工、2.三重大院工、3.三重大院地域イノベ)

キーワード:窒化アルミニウム, 透過型電子顕微鏡, スパッタ

UV-C LEDは紫外線殺菌に期待されているが、高い貫通転位密度・低い光取り出し効率(LEE)のため発光効率の低下が問題となっている。先行研究では、高LEEかつ低転位密度なAlN成長を目的として、ナノパターン加工サファイア基板(N-PSS)上にスパッタ成長(sp-AlN)とface-to-faceアニール(FFA)を組み合わせてAlNテンプレートが作製されている。本研究では、透過型電子顕微鏡(TEM)観察結果に基づいて、FFA sp-AlN/N-PSSの組み合わせに特有な成長機構と転位低減メカニズムについて議論する