[8a-Z02-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[8a-Z02-2] Correlation between three-dimensional morphology and Burgers vector of threading dislocations in GaN bulk crystals grown by HVPE methods

〇Takeaki Hamachi¹, Tetsuya Tohei¹, Yusuke Hayashi¹, Masayuki Imanishi², Yusuke Mori², Nobuyuki Ikarashi³, Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch. of Eng. Sci., Osaka Univ., 2.Grad. Sch. of Eng., Osaka Univ., 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:Gallium Nitride, Threading dislocation, Burgers vector

本研究では，ハイドライド気相成長（HVPE）法により育成した異なるGaN基板において，多光子励起顕微鏡、透過電子顕微鏡、化学エッチング法を用いて、貫通転位の3次元的形態とバーガースベクトルb，及びそれらとエッチピット形状との相関を詳細に解析した。その結果、種基板が異なる２つのHVPE-GaN結晶共に、エッチピットと貫通転位のバーガースベクトルが１対１に対応することを見出した。その中で、報告例が極めて少ないb=1m+1cを有する転位が存在することを明らかにした。また、ヒロック中心には互いに平行な２つの転位が存在し、これらはa成分が互いに逆方向のa+cタイプのバーガースベクトルを有することも分かった。当日は詳細な転位構造やその起源等について議論する。