[8a-Z06-1~5] 第3世代異種材料接合と膜成長自在制御：界面ナノ・キベルネテス（舵手）

[8a-Z06-5] 六方晶窒化ホウ素を基板としたVO₂薄膜の成長とデバイス応用

〇山本 真人¹、玄地 真悟²、神吉 輝夫²、野内 亮^3,4、谷口 尚⁵、渡邊 賢司⁵、田中 秀和² (1.関大システム理工、2.阪大産研、3.阪府大工、4.JSTさきがけ、5.物材機構)

キーワード：二酸化バナジウム, 六方晶窒化ホウ素, ファンデルワールスヘテロ構造

二酸化バナジウム（VO₂）は、室温近傍において金属-絶縁体相転移を熱的に起こし、その結果、電気抵抗率や光の透過率が劇的に変化する物質である。最近我々は、VO₂と新奇機能性材料として注目されている二次元層状物質とを組み合わせることで、VO₂の新たなデバイス展開の可能性を探求している。本講演では、優れた絶縁性と化学安定性を有する層状物質である六方晶窒化ホウ素(hBN)上の高品質VO₂薄膜成長に関する我々の研究を紹介する。また、hBNの「どこへでも張り付けられる」機能を利用することで可能となる、VO₂の新たなデバイス展開についても紹介する。