[8a-Z07-1~8] 6.3 Oxide electronics

△ [8a-Z07-7] Temperature dependence of forward bias I-V curves of (La_1-xSr_x)VO₃/p-Si(100) junctions

〇Keisuke Muranushi¹, Hiroshi Sakanaga¹, Hiroki Wadati², Koji Arafune¹, Haruhiko Yoshida¹, Yasushi Hotta¹ (1.Univ. of Hyogo(E), 2.Univ. of Hyogo(MS))

Keywords:transition metal oxide, silicon, strongly correlated electron system

半導体デバイス発展の方法の一つとして、Siにはない電子物性を利用できる材料を取り入れる方法があり、材料としてペロブスカイト型3d遷移金属酸化物に着目した。酸化物をSiデバイスに組み込む研究は行われているが、強相関電子物性を対象とした研究は報告されていない。そこで、我々はMott絶縁体である(La_1-xSr_x)VO₃とSiの直接接合構造を作製し、研究を行っている。今回は(La_1-xSr_x)VO₃/p-Si(100)接合試料の順方向バイアス時の温度依存性を測定した結果を報告する。