[8a-Z07-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [8a-Z07-7] (La_1-xSr_x)VO₃/p-Si(100)接合の順方向電流-電圧特性の温度依存性

〇村主 圭佑¹、阪永 裕士¹、和達 大樹²、新船 幸二¹、吉田 晴彦¹、堀田 育志¹ (1.兵県大工、2.兵県大理)

キーワード：遷移金属酸化物, シリコン, 強相関電子系

半導体デバイス発展の方法の一つとして、Siにはない電子物性を利用できる材料を取り入れる方法があり、材料としてペロブスカイト型3d遷移金属酸化物に着目した。酸化物をSiデバイスに組み込む研究は行われているが、強相関電子物性を対象とした研究は報告されていない。そこで、我々はMott絶縁体である(La_1-xSr_x)VO₃とSiの直接接合構造を作製し、研究を行っている。今回は(La_1-xSr_x)VO₃/p-Si(100)接合試料の順方向バイアス時の温度依存性を測定した結果を報告する。