[8a-Z09-1~10] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[8a-Z09-6] Siワイヤのフォノンドラッグ効果におけるフォノン境界散乱の影響

〇池田 浩也¹、ホティマトゥル ファウジア¹、野北 崇人¹、渡邉 孝信²、鈴木 悠平³、鎌倉 良成³、ファイズ サレ⁴ (1.静大、2.早大、3.阪工大、4.マラヤ大)

キーワード：ゼーベック係数, フォノンドラッグ効果, シリコンワイヤ

Siワイヤのゼーベック係数におけるフォノンドラッグ効果とワイヤサイズの関係について，フォノンの境界散乱における鏡面反射度の観点から解析を行なった．その結果，Siをナノワイヤ化した場合でも，ワイヤの表面粗さを抑えることによりフォノノンドラッグ効果を保持できる可能性を見出した．