[8a-Z14-1~12] 2.1 放射線物理一般・検出器基礎

△ [8a-Z14-10] 高累積線量におけるMOSFETのゲートバイアス特性比較

〇吉田 僚一郎¹、木村 有佐¹、安藤 幹¹、大島 佑太¹、鍋屋 信介¹、平川 顕二¹、岩瀬 正幸¹、小笠原 宗博¹、依田 孝¹、石原 昇¹、伊藤 浩之¹ (1.東工大)

キーワード：TID効果, MOSFET, ガンマ線

MOSFETの特性は，宇宙や原子力といった放射線が長期間照射される環境では，TID効果により劣化する．本報告では，MOSFETのゲートバイアスの印加の条件に固定電圧と三角波電圧入力を行い，両者を比較することによってTIDの影響の度合いが異なることを実験的に検証した．ゲートに固定電圧が印加され続けることによってTIDの影響が多くなりオン電流が大きく変動することを明らかにした．