2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[8a-Z14-1~12] 2.1 放射線物理一般・検出器基礎

2020年9月8日(火) 08:30 〜 11:30 Z14

越水 正典(東北大)

10:45 〜 11:00

[8a-Z14-10] 高累積線量におけるMOSFETのゲートバイアス特性比較

吉田 僚一郎1、木村 有佐1、安藤 幹1、大島 佑太1、鍋屋 信介1、平川 顕二1、岩瀬 正幸1、小笠原 宗博1、依田 孝1、石原 昇1、伊藤 浩之1 (1.東工大)

キーワード:TID効果, MOSFET, ガンマ線

MOSFETの特性は,宇宙や原子力といった放射線が長期間照射される環境では,TID効果により劣化する.本報告では,MOSFETのゲートバイアスの印加の条件に固定電圧と三角波電圧入力を行い,両者を比較することによってTIDの影響の度合いが異なることを実験的に検証した.ゲートに固定電圧が印加され続けることによってTIDの影響が多くなりオン電流が大きく変動することを明らかにした.