[8a-Z17-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[8a-Z17-2] 歪フリーなPb(Zr_x,Ti_1-x)O₃薄膜の作製法の検討

〇(M2)森川 友秀¹、小寺 正徳¹、江原 祥隆²、清水 荘雄³、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.防衛大、3.NIMS)

キーワード：強誘電体

MPB近傍組成のPb(Zr_0.5Ti_0.5)O₃ と格子定数が近い、MgAl₂O₄やSr(Zr_0.65,Ti_0.35)O₃/SrTiO₃ (SZTO/STO)を基板として用いることで歪フリーなPZT膜を作製可能であると期待される。そこで本発表では、これらの基板を用いた場合に膜にかかる歪みや得られた膜のドメイン構造を検討する第一歩として、複雑なドメイン構造が予想されるMPB近傍組成ではなく、正方晶のPb(Zr_0.3,Ti_0.7)O₃を上記基板上に作製し、格子歪から予想されるドメインが形成されるかをまず調査した。