[8a-Z27-1~9] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

[8a-Z27-3] BaHfO₃添加SmBa₂Cu₃O_y薄膜における面内磁場下の臨界電流非対称性の磁場温度依存性

〇土屋 雄司¹、一野 祐亮²、吉田 隆¹ (1.名大工、2.愛工大)

キーワード：高温超伝導, ダイオード, 非相反

超伝導体において電流方向によって臨界電流密度J_cが異なる性質を利用した超伝導ダイオードが提案されている。本研究では、バルクピンニングがJ_c非対称性に与える影響を調べるため、BaHfO₃添加SmBa₂Cu₃O_y薄膜を成膜し、広い温度磁場範囲での特性を測定した。結果、J_c非対称性は60 Kにおいて最大値を示し、より低温では低下した。この結果は固有ピンによるバルクピンニング力が低温で増加したためだと考えられる。