2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

11 超伝導 » 11.3 臨界電流,超伝導パワー応用

[8a-Z27-1~9] 11.3 臨界電流,超伝導パワー応用

2020年9月8日(火) 09:00 〜 11:30 Z27

小田部 荘司(九工大)、山本 明保(農工大)

09:45 〜 10:00

[8a-Z27-4] 磁場侵入長の不均一性による超伝導薄膜の非対称な臨界電流特性

馬渡 康徳1、土屋 雄司2 (1.産総研、2.名大工)

キーワード:超伝導薄膜, 臨界電流, 磁場侵入長

超伝導薄膜に流す電流の方向を反転させたときに臨界電流が異なる例が報告されているが,そのような非対称な臨界電流特性の機構の可能性として,超伝導層の基板界面と薄膜表面とで超伝導特性や表面粗さが異なる空間的非対称性の影響が検討されている.本研究では,超伝導特性や表面粗さの不均一性を磁場侵入長の空間的不均一性としてモデル化し,平行磁場中の超伝導薄膜における表面バリアによる臨界電流について理論的考察を行った.膜面に平行な量子化磁束線の分布と安定性について London model により考察し,磁場侵入長の不均一性により,平行磁場中の超伝導薄膜における臨界電流にどのように非対称性が現れるか明らかにした.