[8a-Z28-1~5] 多様な安定相のエンジニアリングの新展開 ~環境・エネルギーデバイスと材料の未来～

[8a-Z28-3] SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御

〇加藤 智久¹ (1.産総研)

キーワード：半導体, 結晶成長, 炭化珪素

パワー半導体用SiCバルク単結晶成長において4H多型（ポリタイプ）の制御技術の開発が進んだことで高品質な単一多型の単結晶が得られるようになった。これらの技術背景を紹介すると共に、SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御の重要性について議論する。