[8p-Z05-1~20] 6.2 カーボン系薄膜

△ [8p-Z05-12] NVセンターの多量子ビット化のための高窒素含有有機化合物イオン注入法の高度化

〇(M1)木村 晃介^1,2、小野田 忍²、山田 圭介²、加田 渉¹、川原田 羊³、渡邊 幸志⁴、磯谷 順一⁵、花泉 修¹、大島 武² (1.群馬大、2.量研、3.早稲田大、4.産総研、5.筑波大)

キーワード：NVセンター, イオン注入, フタロシアニン

ダイヤモンド中の窒素・空孔(NV)センターは室温で優れた磁気光学特性を持つ量子ビットとして知られている。多量子ビット化する方法の一つにイオン注入法が知られている。我々は、4つの窒素を含む有機化合物(C₅N₄H_n)イオンの注入による3量子ビットの形成を報告した。本研究では、C₅N₄H_nよりも窒素を多く含むフタロシアニン(C₃₂N₈H₁₈)を用いたイオンビームを開発し、さらなる多量子ビット化を試みた。