[8p-Z17-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[8p-Z17-10] MOCVD法によるSi基板上へのBiFeO₃薄膜のMOCVD成長

〇小山手 厚人¹、藤沢 浩訓¹、中嶋 誠二¹ (1.兵庫県大工)

キーワード：BiFeO3, MOCVD

BiFeO₃ (BFO)薄膜は強誘電性や圧電性，半導体性などの多様な物性を示し，新規機能を有する電子デバイスへの応用が検討されている．これまで，我々は高酸素分圧下での成長が可能なMOCVD 法によるSrTiO₃基板上へのエピタキシャル成長について検討し，プロセスウインドウの存在や電気的特性の組成依存性などについて報告してきた．今回，各種応用上重要なSi基板上へのエピタキシャル成長について，SrTiO₃基板との比較のもと，検討したので報告する．