[8p-Z17-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [8p-Z17-3] Ferroelectric properties of room temperature-deposited (Al_1-xSc_x)N films by the sputtering method.

〇(M2)Shinnosuke Yasuoka¹, Takao Shimizu^1,2, Masato Uehara³, Hiroshi Yamada³, Morito Akiyama³, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.NIMS, 3.AIST)

Keywords:ferroelectric, thin film, (Al1-xScx)N

従来ペロブスカイト構造酸化物に代表される無機強誘電体膜の作製には、基板加熱が不可欠であり、有機基材上へのフレキシブルデバイス等への応用には制限があった。2019年に強誘電性が初めて報告された(Al_1-xSc_x)N膜は、結晶構造がウルツァイト構造と比較的単純な構造であることから、非加熱での合成が期待できる。本研究では、(Al_1-xSc_x)N膜を二元同時スパッタリング法により非加熱で作製し、強誘電性の評価を行ったので報告する。