[8p-Z17-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[8p-Z17-6] Si 基板上エピタキシャル(K, Na)NbO₃薄膜の結晶構造および圧電特性の組成依存性

〇蔡 慶政¹、譚 賡²、神野 伊策¹ (1.神戸大工、2.大阪府立大)

キーワード：圧電薄膜, 非鉛

(K, Na)NbO₃ (KNN) は，高い圧電性とキュリー点を示すことから，非鉛圧電薄膜材料の有力候補として注目されている．従来の研究より，高い圧電性を得るためには，結晶配向性および組成を最適化させる必要がある．我々はこれまでに，Si基板上にKNN薄膜をエピタキシャル成長させることに成功した．本研究では，K/Na組成の異なるKNN薄膜を作製し，その結晶構造および電気・圧電特性の評価を行った．