[8p-Z25-1~13] 【CS.1】 2.4 加速器質量分析・加速器ビーム分析 と 7.5 イオンビーム一般のコードシェアセッション

△ [8p-Z25-5] 高速C₆₀イオンビーム照射によるSi表面構造の形成

〇大石 脩人¹、村尾 吉輝¹、新田 紀子¹、土田 秀次²、冨田 成夫³、笹 公和³、平田 浩一⁴、柴田 裕実⁵、平野 貴美⁶、山田 圭介⁶、千葉 敦也⁶、斎藤 勇一⁶、鳴海 一雅⁶、星野 靖⁷ (1.高知工大、2.京大、3.筑波大、4.産総研、5.阪大、6.量研機構、7.神奈川大)

キーワード：クラスターイオンビーム, 半導体, Si

入射角度を付けた単原子イオンビーム照射によって、Si表面にリップル構造がスパッタリングによって形成することが報告されている。本研究では、単原子イオンビームより高効率にスパッタリングが引き起こされるクラスターイオンビームを用いて、Si表面に形成される構造を調べる。Si表面の微細な構造は、トランジスタや量子ドット、フォトニック結晶への応用が期待される。クラスターイオンビーム照射による高効率構造形成を目指し、照射条件ごとに形成される構造の形態及びその形成メカニズムを検討する。加えて、形成される構造と照射条件との関係性を調べるために、機械学習を用いて条件の分類を試みる。