[8p-Z26-1~23] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[8p-Z26-13] Surface reaction of low-temperature yttrium oxide atomic layer deposition

〇(D)Kentaro Saito^1,2, Kazuki Yoshida^1,2, Masanori Miura³, Kensaku Kanomata³, Bashir Ahmmad¹, Shigeru Kubota¹, Fumihiko Hirose¹ (1.Yamagata Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.Yamagata Univ. ROEL)

Keywords:atomic layer deposition, yttria, high dielectric constant material

イットリア(Y₂O₃)はその高誘電率性から、MOSFETのゲート絶縁膜への応用が期待される。従来のY₂O₃の製膜法は化学気相堆積法、原子層堆積法(Atomic Layer Deposition : ALD)である。これらの製膜手法は200 ℃以上の高温を必要とするため、低温を必要とするフレキシブルデバイスへの応用は困難であった。本発表では、低温製膜を実現するため、80 ℃でのY₂O₃ ALDの条件の検討研究をおこなった。学会では、このほかの成膜試験結果、フレキシブルフィルム上での堆積例についても報告する。