[8p-Z26-1~23] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[8p-Z26-2] 水素化a-SiへのFLAによるテクスチャ化ガラス上へのpoly-Si薄膜形成

〇王 崢¹、Tu Huynh Thi Cam¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：薄膜

RIEを用いて作製したテクスチャ基板上にCat-CVD法を用いてa-Si:Hを堆積した試料に対しFLAを行った際の膜剥離抑制を試みた。RIE時間の増大により、poly-Si膜の剥離が抑制できることを示した。また、FLA後の試料のラマンスペクトルにおいて、c-Siのピークが確認され、膜剥離無くpoly-Siを得られることを確認した。アンカー効果によりガラス基板とSi膜の密着性が高まったため、膜剥離が抑止できたと考えられる。