[9a-Z01-1~6] 15.2 II-VI and related compounds

[9a-Z01-4] Device integration of ZnSe based organic-inorganic hybrid ultraviolet APD

〇Yuta Fujii¹, Yuki Ichikawa¹, Kaiki Nakamura¹, Kazuki Nakagawa¹, Kentarou Yoshida¹, Ryuichi Miyazaki¹, Yuya Tsuzi¹, Shumpei Yamamoto¹, Tomoki Abe¹, Kunio Ichino¹, Kazuaki Akaiwa¹ (1.Tottori Univ.)

Keywords:ZnSe, ultraviolet avalanche photodiodes, organic-inorganic hybrid structure

本研究では，ZnSe系有機-無機ハイブリッド構造アバランシェフォトダイオードの集積化プロセスの開発を行った．GaAs基板上にZnSe系無機層をMBE成長した後，フォトリソグラフィによりPEDOT:PSS有機窓層を形成した．デバイス表面にSU-8絶縁層を設け，ボンディングパッド付きのAu/Ti外部電極を形成し，集積型デバイスを作製した．