[9a-Z02-1~8] 15.4 III-V-group nitride crystals

[9a-Z02-2] Fabrication of DUV-LED on High-Temperature Annealed Sputter-Deposited AlN Template (II)

〇Kenjiro Uesugi¹, Ding Wang², Yuta Tezen¹, Shiyu Xiao², Kanako Shojiki³, Shigeyuki Kuboya¹, Hideto Miyake^2,3 (1.SPORR, Mie Univ., 2.Grad. Sch. of RIS, Mie Univ., 3.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ.)

Keywords:sputtering, annealing, DUV-LED

スパッタ成膜と高温アニールで作製したAlNテンプレート上へDUV-LED構造を作製した。転位密度の異なるAlNテンプレートを用いて、AlNおよびAlGaNの結晶性とDUV-LEDの発光特性の関係を評価した。ピーク波長264 nmにおいて、外部量子効率の最大値は約1.7%であった。