[9a-Z02-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

[9a-Z02-5] 【注目講演】サファイア基板上AlGaN材料UVBレーザダイオードの構造検討

〇佐藤 恒輔^1,2、山田 和輝²、石塚 彩花²、田中 隼也²、大森 智也²、手良村 昌平²、岩山 章^2,3、三宅 秀人³、岩谷 素顕²、竹内 哲也²、上山 智²、赤﨑 勇² (1.旭化成、2.名城大、3.三重大)

キーワード：レーザ, AlGaN, 紫外

前回の学術講演会では、下地層として格子緩和したn-AlGaNを用いること、およびp-AlGaNクラッド層としてIII族組成傾斜構造を用いることにより、パルス幅50ナノ秒、デューティ比0.0001のパルス駆動において、波長298 nm、閾値電流密度41 kA/cm²のサファイア基板上電流注入型UVB-LDをパルス駆動において実現した結果を報告した。本講演では薄膜構造、素子構造を検討することにより、閾値電流密度25 kA/cm²まで低減させた結果を報告する。