[9a-Z04-1~12] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[9a-Z04-4] Crystal growth of short wavelength quantum cascade laser with high Al composition InAlAs barrier

〇Kei Kaneko¹, Rei Hashimoto¹, Tsutomu Kakuno¹, Shinji Saito¹, Hirotaka Tanimura², Shigeyuki Takagi², Kazuaki Sakoda³ (1.Toshiba CMC, 2.Tokyo Univ. of Tech., 3.NIMS)

Keywords:Crystal growth, Quantum Cascade Laser

量子カスケードレーザ(QCL)は中赤外域（４-10 μm）の小型光源として、様々な応用への適用が考えられている。また、QCLの短波長化の研究も行われており、都市ガスの主成分であるCH4（吸収帯3.3 μm）の高感度な計測への応用が期待される。しかしInGaAs/InAlAs系QCLの短波長化は、歪の増加による結晶品質の劣化に伴い、発振しきい値電流の増大が生じる。歪を制御し、伝導帯バンドオフセットを大きくして電子の注入層へのリークを防ぐことが重要である。今回、InAlAsにAlAsを挿入したQCLを試作し、その結晶特性と発光特性を評価したので報告する。