[9a-Z10-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-Z10-10] 室温プラズマCVDによるSiC_xN_yO_z膜の酸素組成の解析

〇堀 健太¹、渡部 亨¹、羽深 等¹ (1.横国大院理工)

キーワード：プラズマ化学気相堆積, シリコン系薄膜, 酸素混入

SiCNO膜は、保護膜材料として幅広く応用できると期待されている。前報において、アルゴンプラズマ中にモノメチルシランガスと窒素ガスを供給することにより室温で形成される非晶質SiCNO膜の膜厚を3種のガスの分圧とプラズマ中を流れる電流値で記述する試みがなされた。本研究では、SiCNO膜に入る酸素の組成を低減させる条件を調査するために、酸素組成をガス分圧と電流値で表現した予測式を用いた。