[9a-Z10-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-Z10-4] ミニマルμプラズマエッチングプロセスにおける動作圧力についての考察

〇田中 宏幸¹、新堀 俊一郎^2,3、岩瀬 千克^2,3、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ推進機構、3.三友製作所)

キーワード：µプラズマ, ミニマル, エッチング

通常、半導体エッチングに用いるプラズマは、リソグラフィーを行うためガス温度が十分低い熱的非平衡型低温グロー放電が用いられる。これに対しミニマルファブでは、小さな反応場のμプラズマを活用しその半導体向けの開発を行ってきた。μプラズマは、パッシェンの法則に依ると大気圧近傍が適正と示されるが、これはプラズマの着火条件であって、利用空間となるノズル外空間はプラズマ利用目的に適した条件を個別に考えれば良い。