[9a-Z10-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-Z10-9] ミニマルファブで作成したオペアンプ回路 (Ⅱ)

〇加瀬 雅¹、古賀 和博²、ソマワン クンプアン^1,2、原 史朗^1,2 (1.産業技術総合研究所、2.ﾐﾆﾏﾙﾌｧﾌﾞ推進機構)

キーワード：ミニマルファブ

ミニマルファブでOPアンプの試作を行い、前回の報告ではOPアンプの動作は確認できたがオフセットは0.5V～2.0Vと大きい結果になった。今回、層間のTEOS膜厚を300nmから400nmとし、ViaのエッチングをDryEtchingからWet&DryEtchingに変更した。また、AlゲートとAl配線のオーバラップ箇所を避けるようパターン変更を行った。試作完成したウェハを測定した結果、オフセットを7mV～564mVと改善することができた。