[9a-Z11-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

[9a-Z11-7] アンチ・アンバイポーラトランジスタの開発 I -キャリア伝導機構と多値論理回路への応用-

〇早川 竜馬¹、小橋 和義^1,2、Kim Chang-Hyun³、若山 裕^1,2 (1.物材機構、2.九大院工、3.嘉泉大)

キーワード：アンチ・アンバイポーラトランジスタ, 多値論理回路, キャリア伝導機構

負性抵抗素子は多値論理回路へ応用できることから注目を集めているが、室温での電流変化が低いことが問題となる。我々はチャネル中央部でPN接合を有する特殊な有機トランジスタ (アンチ・アンバイポーラトランジスタ：AAT) を提案し、室温で4桁に至るドレイン電流の増減に成功した。本講演ではAATにおける負性抵抗の発現機構とAATとN型トランジスタを組み合わせた多値論理回路へ応用した結果について報告する。