[9a-Z13-1~9] 3.13 Semiconductor optical devices

[9a-Z13-4] 1550 nm-band InAs quantum-dot monolithically integrated laser with quantum dot intermixing region

〇(M1)Runa Kaneko¹, Syohei Isawa¹, Ryosuke Morita¹, Atsushi Matsumoto², Kouichi Akahane², Yuichi Matsushima¹, Hiroshi Ishikawa¹, Katsuyuki Utaka¹ (1.Waseda Univ., 2.NICT)

Keywords:quantum dot laser, intermixing, monolithic intergration

量子ドット (QD) の集積化にあたって，イオン注入による組成混晶 (QDI) を用いた電界吸収 (EA) 変調器を検討しており，今回は QD-QDI 集積レーザの室温連続発振に成功した．