[9a-Z28-1~11] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

△ [9a-Z28-6] ウェットウェア創生に向けたポリマーシナプス素子の開発

〇萩原 成基¹、浅井 哲也²、桑原 裕司¹、赤井 恵^1,2 (1.阪大院工、2.北大院情報)

キーワード：ニューラルネットワーク, 導電性高分子, 抵抗変化メモリ

我々は、人工ニューラルネットワーク計算のハードウェア化を目的とし、電解重合によってワイヤー状に成長し配線する、導電性高分子PEDOT:PSSをシナプス素子として用いることを提案してきた。今回、ドーピング操作によってワイヤーの導電性変化を誘起し、電極間抵抗値を連続かつ双方向に制御することに成功した。導電性ワイヤーの配線機能にシナプス可塑性の機能が加わり、さらなる応用展開が期待される。