[9a-Z29-1~14] 17.2 Graphene

[9a-Z29-13] Selective exfoliation from multi-layered epitaxial graphene on SiC(0001) under laser excitation: optical fabrication of monolayer graphene

〇(M1)Ryosuke Horie¹, Kento Ishida¹, Jun'ichi Kanasaki¹, Kenji Kisoda², Kazutoshi Takahashi³ (1.Osaka city Univ., 2.Wakayama Univ., 3.Saga Univ.)

Keywords:graphene, Raman scattering spectroscopy, radiation effects

グラフェンの物性は原子層数に依存しており、その制御技術の確立が産業分野において期待されている。本研究では、SiC上にエピタキシャル成長させた多層グラフェンについて、光励起により誘起される構造変化をラマン散乱分光法により測定した。その結果、光励起下で多層グラフェン領域において選択的に層剥離が発生する事、単層グラフェンは光励起に対して安定である事が判明し、単層グラフェン創製に関する技術的知見を得た。