[9a-Z29-1~14] 17.2 グラフェン

[9a-Z29-13] レーザー光励起によるSiC(0001)表面上多層グラフェン領域からの選択的層剥離：光励起による単層グラフェン創製

〇(M1)堀江 亮介¹、石田 健人¹、金﨑 順一¹、木曽田 賢治²、高橋 和敏³ (1.大阪市立大院、2.和歌山大院、3.佐賀大シンクロトロン光応用センター)

キーワード：グラフェン, ラマン散乱分光, 照射効果

グラフェンの物性は原子層数に依存しており、その制御技術の確立が産業分野において期待されている。本研究では、SiC上にエピタキシャル成長させた多層グラフェンについて、光励起により誘起される構造変化をラマン散乱分光法により測定した。その結果、光励起下で多層グラフェン領域において選択的に層剥離が発生する事、単層グラフェンは光励起に対して安定である事が判明し、単層グラフェン創製に関する技術的知見を得た。