[9p-Z01-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-Z01-1] 高濃度BeドープGaAsNにおけるBe-N形成

〇角田 拓優¹、塚崎 貴司¹、椎野 直樹¹、藤田 実樹²、牧本 俊樹¹ (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード：GaAsN, 高濃度Beドープ, 格子定数