[9p-Z01-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-Z01-13] モンテカルロ計算によるGaN(001)基板上InAsぬれ層の表面構造変化の理論的検討

〇秋山 亨¹、米本 和弘¹、日紫喜 文昭¹、アブドル ムィッツプラディプト¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：化合物, モンテカルロシミュレーション