[9p-Z01-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-Z01-14] GaAsキャッピング層の成長レートによる埋め込まれたInAs-QDのサイズおよび発光波長制御

〇王 涛¹、大島 仁¹、尾崎 信彦¹、池田 直樹²、杉本 喜正² (1.和歌山大シス工、2.物材機構)

キーワード：量子ドット