The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[9p-Z01-1~18] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

Wed. Sep 9, 2020 12:30 PM - 6:00 PM Z01

Fumitaro Ishikawa(Ehime Univ.), Keisuke YAMANE(Toyohashi Univ. of Tech.)

5:00 PM - 5:15 PM

[9p-Z01-15] Effect of AlSb/GaSb buffer on electronic properties of GaInSb HEMT structures

Takuya Hayashi1, Mizuho Hiraoka1, Goki Ogane1, Munemasa Kunisawa1, Naoyuki Kishimoto1, Issei Watanabe2, Yoshimi Yamashita2, Shinsuke Hara2, Ryuto Machida2, Akifumi Kasamatsu2, Akira Endoh1, Hiroki Fujishiro1 (1.TUS, 2.NICT)

Keywords:High Electron Mobility Transistor, semiconductor, crystal growth

電子の有効質量が軽くかつ電子移動度が高いSb系高電子移動度トランジスタはTHz領域で動作可能な高周波・低消費電力デバイスとして期待されている。しかし、Sb系HEMTにおいては格子整合する適当な基板が存在しないため、GaAs基板を用いることが多い。それにより転位が発生し、転位が電子の散乱源となって電気的特性の低下につながる。そこで、AlSb/GaSbバッファ層およびグレイデッドバッファ層をHEMT構造に導入し最適なバッファ構造を検討した。