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[9p-Z01-15] Effect of AlSb/GaSb buffer on electronic properties of GaInSb HEMT structures
Keywords:High Electron Mobility Transistor, semiconductor, crystal growth
電子の有効質量が軽くかつ電子移動度が高いSb系高電子移動度トランジスタはTHz領域で動作可能な高周波・低消費電力デバイスとして期待されている。しかし、Sb系HEMTにおいては格子整合する適当な基板が存在しないため、GaAs基板を用いることが多い。それにより転位が発生し、転位が電子の散乱源となって電気的特性の低下につながる。そこで、AlSb/GaSbバッファ層およびグレイデッドバッファ層をHEMT構造に導入し最適なバッファ構造を検討した。