[9p-Z01-1~18] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[9p-Z01-15] Effect of AlSb/GaSb buffer on electronic properties of GaInSb HEMT structures

〇Takuya Hayashi¹, Mizuho Hiraoka¹, Goki Ogane¹, Munemasa Kunisawa¹, Naoyuki Kishimoto¹, Issei Watanabe², Yoshimi Yamashita², Shinsuke Hara², Ryuto Machida², Akifumi Kasamatsu², Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹ (1.TUS, 2.NICT)

Keywords:High Electron Mobility Transistor, semiconductor, crystal growth

電子の有効質量が軽くかつ電子移動度が高いSb系高電子移動度トランジスタはTHz領域で動作可能な高周波・低消費電力デバイスとして期待されている。しかし、Sb系HEMTにおいては格子整合する適当な基板が存在しないため、GaAs基板を用いることが多い。それにより転位が発生し、転位が電子の散乱源となって電気的特性の低下につながる。そこで、AlSb/GaSbバッファ層およびグレイデッドバッファ層をHEMT構造に導入し最適なバッファ構造を検討した。