Influence of above-gap excitation on up-conversion luminescence of GaPN alloys

Hagane Sagara; Kengo Takamiya; Syuhei Yagi; Hiroyuki Yaguchi

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[9p-Z01-1~18] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

Wed. Sep 9, 2020 12:30 PM - 6:00 PM Z01

Fumitaro Ishikawa(Ehime Univ.), Keisuke YAMANE(Toyohashi Univ. of Tech.)

1:00 PM - 1:15 PM

[9p-Z01-3] Influence of above-gap excitation on up-conversion luminescence of GaPN alloys

〇Hagane Sagara¹, Kengo Takamiya¹, Syuhei Yagi¹, Hiroyuki Yaguchi¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:GaPN alloys, up-conversion

GaPN混晶では，バンドテイルを中間状態とした二段階光吸収によるアップコンバージョン発光が観測されている。バンドギャップエネルギーよりも低いエネルギー励起(BGE)光だけでなく，高いエネルギー励起(AGE)光でも二段階光吸収が起こっており，アップコンバージョン発光への影響が明らかになったので報告する。