[9p-Z04-1~20] 13.8 光物性・発光デバイス

△ [9p-Z04-13] Tm,Mg 共添加 GaN における Tm 近赤外発光強度の Mg 流量依存性

〇(M1)駒井 亮太¹、吉岡 尚樹¹、市川 修平¹、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：希土類, 近赤外発光ダイオード, 有機金属気相エピタキシャル法

我々は、有機金属気相エピタキシャル法によりGaNに希土類元素の一種であるTmをin-situ添加した層を活性層とした超狭帯域・超波長安定の近赤外発光ダイオードの実現に取り組んできた。これまでの研究で、Tmに加えてMg不純物を結晶成長中に意図的に共添加することにより、発光効率の良い新たなTm発光中心が形成されることを観測している。本研究では、Mg流量制御により、表面平坦性向上とTm近赤外発光増強の双方を実現したので報告する。