The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[9p-Z04-1~20] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Wed. Sep 9, 2020 1:00 PM - 6:15 PM Z04

Yasushi Nanai(Aoyama Gakuin Univ.), Takayuki Nakanishi(NIMS)

4:30 PM - 4:45 PM

[9p-Z04-14] Temperature dependences of PL intensity in Y4Si2O7N2:Eu3+ red phosphors

〇(M2)Ken Kinoshita1, Misa Kawashima1, Tadashi Ishigaki1, Takashi Kunimoto2, Koutoku ohmi1 (1.Tottori Univ., 2.Tokushima Bunri Univ.)

Keywords:red phosphor, charge transfer state, PL temperature characteristics

Eu3+を付活した複合酸化物蛍光体Y4Si2O7N2:Eu3+(YSON), Y2O3:Eu3+(YO)を作製した。PL強度の温度変化を測定し活性化エネルギーΔEの値を算出したところ、それぞれ0.12, 0.21 eVとなった。ΔEの値は4f基底状態からのCTSエネルギーの大きさ3.61 eV(YSON), 5.08 eV(YO)にある程度対応すると考えられる。