2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス

[9p-Z04-1~20] 13.8 光物性・発光デバイス

2020年9月9日(水) 13:00 〜 18:15 Z04

七井 靖(青学大)、中西 貴之(物材機構)

14:00 〜 14:15

[9p-Z04-5] メルト急冷法による高濃度のDy3+を賦活したSrAl2O4:Eu2+,Dy3+の合成

戸田 健司1、田中 諒1 (1.新潟大学院)

キーワード:蛍光体, 希土類, 長残光

本研究では、従来よりも高濃度のDy3+を賦活した長残光蛍光体SrAl2O4:Eu2+, Dy3+の合成を行うために、集光炉を用いた溶融急冷(Melt Quenching; MQ)法を用いた。MQ法で作製した10 mol%のDy3+が固溶したSrAl2O4:Eu2+, Dy3+の方が,2 mol%の試料よりも残光特性が改善されている。この研究結果より,MQ法は長残光蛍光体SrAl2O4:Eu2+, Dy3+の合成に対して有望な手法と言える。