[9p-Z05-1~14] 【CS.6】 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

[9p-Z05-13] Improvement of Structure Controllability and Water Repellency of SiO:CH Particle Films Deposited by Plasma CVD Process with Positive DC Bias

Kentarou Ikeda¹, Kyousuke Kureha¹, 〇Masahiro Kanno¹, Yasushi Inoue¹, Osamu Takai² (1.Chiba Inst. Techol., 2.Kanto Gakuin Univ.)

Keywords:plasma CVD, SiO:CH particle films

SiO:CH微粒子堆積膜は，印加電圧による構造制御は可能かどうかを検証するとともに，撥水特性の面内均一化を調査することを目的とした．上部電極に正電圧を+0 Vから+40 Vまで(20 V間隔)印加させ成膜を行った結果，膜表面では電圧を上げるにつれて粒径が小さくなり，さらに微粒子が凝集体となって堆積することが確認され，20 V以上では基板全体にほぼ均一に微粒子堆積膜が形成することが確認された．